Endurance cycling test, Data retention test
①周期耐久性测试（EnduranceCycling Test ）
目的：评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能
测试方法：将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次
测试条件：室温，或者更高，每个数据的读写次数达到100k~1000k
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：MIT-STD-883E Method 1033
②数据保持力测试（Data Retention Test）


目的：在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失
测试方法：在高温条件下将数据写入memory存储单元后，多次读取验证单元中的数据
测试条件：150℃
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：MIT-STD-883E Method 1008.2；MIT-STD-883E Method 1033
在了解上述的IC测试方法之后，IC的设计制造商就需要根据不用IC产品的性能，用途以及需要测试的目的，选择合适的测试方法，最大限度的降低IC测试的时间和成本，从而有效控制IC产品的质量和可靠度。